IGBT是絕緣柵雙極型電晶體縮寫,IGBT是由MOSFET和雙極型電晶體複合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP電晶體,既擁有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優點,又擁有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優點,其頻率特性介於MOSFET與功率電晶體之間,可正常工作於幾十kHz頻率範圍內,在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用,在較高頻率的大、中功率應用中佔據了主導地位。它融和了這兩種器件的優點。
IGBT是絕緣柵雙極型電晶體縮寫,IGBT是由MOSFET和雙極型電晶體複合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP電晶體,既擁有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優點,又擁有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優點,其頻率特性介於MOSFET與功率電晶體之間,可正常工作於幾十kHz頻率範圍內,在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用,在較高頻率的大、中功率應用中佔據了主導地位。它融和了這兩種器件的優點。
1、材料流動性:
通常會用熔融指數來表示。流動性好的導熱材料,其成型比較容易,生產較為順暢。基於流動性高的導熱塑膠,散熱器的壁厚可以設計比較薄,通常為1-1.2mm, 由於薄的壁厚又會造成散熱路徑的縮短,從而提高散熱效果。同時,較薄的壁厚又會減低材料的克重,降低材料成本。如果是流動性差的材料,通常不太容易注塑成形,而且會容易損壞模具,增加模具維護費用。
電源模組發熱問題會嚴重危害模組的可靠性,使產品的失效率將呈指數規律增加,電源模組發熱嚴重該怎麼辦呢?高溫對功率密度高的電源模組的可靠性影響比較大,高溫會導致電解電容的壽命降低、變壓器漆包線的絕緣特性加降低、電晶體損壞、材料熱老化、低熔點焊縫開裂、焊點脫落、器件之間的機械應力增大等現象。

熱管和均溫板(簡稱VC)內的細節傳熱過程:熱管(Heatpipe)和均溫板(Vapor Chamber,簡稱VC)在高功率或高集成度電子產品中應用廣泛。當使用得當時,它可以被簡單地理解為一個導熱係數非常高的部件。熱管和VC可以有效消除擴散熱阻。
熱管最常見的應用實例就是鑲嵌在散熱器中,將晶片的熱量充分均攤在散熱器基板或翅片上。當晶片發出的熱量經由導熱介面材料(導熱相變化貼)傳遞到散熱器上後,由於熱管導熱係數極高,熱量可以以極低的熱阻沿熱管傳播。此時,熱管又與散熱器翅片相連,熱量便可以更有效地通過整個散熱器散失到空氣當中。對於僅基板中鑲嵌熱管的散熱器,當晶片發熱面積相對較小時,直接傳遞到散熱器的基板,會使得基板溫度分佈具備較大的不均勻性。加裝熱管後,由於熱管導熱係數很高,便可以有效緩解溫度的不均勻性,提高散熱器的散熱效率。